v 功能特點
ü 樣品尺寸4~6寸,溫度900℃-1100℃（2寸以下）
ü 本底真空1E-10Torr，配置低溫泵和分子泵
ü 10個束源爐，容量40cc，可以配置等離子增強型束源爐及電子回旋共振束源爐
ü 配備晶振、束流監控器、高能電子槍以及監控軟件
ü PBN加熱器
ü 4軸加熱樣品臺，可旋轉、XYZ方向均可移動
ü 手動或自動LoadLock上下片系統
v 生長材料
二維材料以及拓撲材料、氧化物等，如III-V 族,II-VI 族,Si/SiGe ,金屬與金屬氧化物及GaN,AlN, AlGaN, InGaN, AlGaInN,CIGS，OLED 等
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