反應離子刻蝕機原理是將10~100MHZ高頻電壓置于平板電極之間能在試樣之前產生幾百微米厚的離子層。當化學腐蝕時，離子以一種高速碰撞方式完成化學反應腐蝕。所以，為了得到高速、垂直腐蝕表面，大多數加速離子都無法與其它氣體分子碰撞，從而直接沖擊試件。要實現這一目標，就需要優化諸如真空、氣體流量、離子加速電壓等參數，同時要得到高密度等離子體，還需要通過磁場提高處理能力。
根據國內RIE腐蝕系統的研發與生產需要，可提供多種型號。
反應離子刻蝕機參數：
1.鋁材料或不銹鋼腔。
2.不銹鋼箱。
3.腐蝕硅(~400A/min)或金屬。
4.射頻源：陽極化射頻板較高12度。
5.雙刻蝕容量：RIE和等離子腐蝕。
6.風力電梯。
7.手動/自動安裝。
8.預抽真空室。
9.計算機控制。
10.選擇ICP源和平臺低溫冷卻導致深硅腐蝕。
選擇反應離子刻蝕機
1.采用各向同性腐蝕高密度等離子體。
2.ICP等離子源，2KWRF電源和調諧器。
3.低溫基底冷卻。
4.檢查終點。
5.1KW射頻電流源和調諧器。
6.低頻電流源和調諧器。
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