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少子壽命測量儀BCT-400
是基于渦流傳感器和紅外光致光電導方法直接測量單晶或者多晶硅棒體少子壽命的設備，具有瞬態和準穩態兩種測量模式。該設備可探測3mm 深度范圍少子壽命，并能輸出不同載流子注入水平下的少子壽命值，可實現低電阻率硅單晶少子壽命測量，并能通過軟件端光強偏置實現單晶缺陷密度計算。

BCT-400測量系統不需要做表面鈍化就能直接測量單晶和多晶硅（錠或塊）的少子壽命.

因為少子壽命作為衡量生長和缺陷含量的的最敏感的技術參數，這個工具直接獲得長硅的質量參數。

作為最易于使用的測量工具--BLS，只需要有直徑150mm大小的平面。如果只是測量平面樣品的話，請選擇BCT-400。

產品簡述：

1.用途（高頻光電導）

用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量，除需要有一個測量平面外，對樣塊

體形無嚴格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體

內重金屬雜質污染及缺陷存在的情況，是單晶質量的重要檢測項目。

2.設備組成

光脈沖發生裝置

重復頻率＞25次/s 脈寬＞60μｓ 光脈沖關斷時間＜1μｓ

紅外光源波長：～μm（測量硅單晶） 脈沖電流：5A～20A



Sinton 少子壽命測量儀，BCT-400測試硅錠，BLS-I測試硅棒，Sinton X-閃光燈頭，Sinton X5D閃光燈頭，Sinton X閃光燈座。

Sinton BCT-400少子壽命測量儀



BCT-400測量系統不需要做表面鈍化就能直接測量單晶和多晶硅（錠或塊）的少子壽命.
是基于渦流傳感器和紅外光致光電導方法直接測量單晶或者多晶硅棒體少子壽命的設備，具有瞬態和準穩態兩種測量模式。該設備可探測3mm 深度范圍少子壽命，并能輸出不同載流子注入水平下的少子壽命值，可實現低電阻率硅單晶少子壽命測量，并能通過軟件端光強偏置實現單晶缺陷密度計算。



Sinton BLS-I少子壽命測量儀

BLS-I測量系統用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量，除需要有一個測量平面外，對樣塊 體形無嚴格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體 內重金屬雜質污染及缺陷存在的情況，是單晶質量的重要檢測項目。

如測量鍺單晶壽命需配置適當波長的光源

BCT-400 設備將為光伏客戶生產高質量太陽能級 單晶硅片提供有力的質量保證手段。