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美國Sinton WCT-120少子壽命測試儀器采用了的測量和分析技術(shù)，包括類似平穩(wěn)狀態(tài)photoconductance (QSSPC)測量方法。可靈敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應(yīng)表面復(fù)合效應(yīng)等缺陷情況。WCT一個高度被看待的研究和過程工具。QSSPC終身測量也產(chǎn)生含蓄的打開電路電壓(對照明)曲線，與最后的I-V曲線是可比較的在一個太陽能電池過程的每個階段。
美國Sinton WCT-120少子壽命測試儀器采用了的測量和分析技術(shù)，包括準(zhǔn)穩(wěn)定態(tài)光電導(dǎo)(QSSPC)測量方法。可靈敏地反映單、多晶硅片的重金屬污染及陷阱效應(yīng),表面復(fù)合效應(yīng)等缺陷情況。WCT在大于20%的超高效率太陽能電池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研發(fā)和生產(chǎn)過程中是一種被廣泛選用的檢測工具。這種QSSPC測量少子壽命的方法可以在電池生產(chǎn)的中間任意階段得到一個類似光照IV曲線的開路電壓曲線，可以結(jié)合最后的IV曲線對電池制作過程進(jìn)行數(shù)據(jù)監(jiān)控和參數(shù)優(yōu)化。
主要應(yīng)用：分布監(jiān)控和優(yōu)化制造工藝

其它應(yīng)用：
檢測原始硅片的性能
測試過程硅片的重金屬污染狀況
評價表面鈍化和發(fā)射極擴(kuò)散摻雜的好壞
用得到的類似IV的開壓曲線來評價生產(chǎn)過程中由生產(chǎn)環(huán)節(jié)造成的漏電。

主要特點(diǎn)：
只要輕輕一點(diǎn)就能實(shí)現(xiàn)硅片的關(guān)鍵性能測試，包括表面電阻，少子壽命，陷阱密度，發(fā)射極飽和電流密度和隱含電壓。