通過幾年的發展，粉體技術已形成多種制備加工工藝。而長期以來，由于缺乏有效的精密手段，表面涂層技術是改善粉末理化性能的重要手段。常規的液相涂覆或氣相涂布方法不能準確地控制均勻性和厚度，制約了涂膜技術的進一步發展。氣相膜沉積技術(ALD)是一種自限化氣相沉積技術，它通過將目標反應分解為一些半反應，從而控制氣相表面涂層的原子層厚。原子層沉積設備的涂層具有普通、無針孔、均勻性好的特點，對于復雜的表面界面和高縱深比樣品有較好的沉積效果。
采用多種涂覆技術控制涂層厚度及粒度。
用原子層沉積設備的薄膜更為均勻。
平板ALD技術自20世紀90年代在半導體工業中得到廣泛應用以來，它的應用日趨成熟，形成了多種ALD技術。長久以來，采用ALD技術實現粉體覆蓋是工業難題。超高比表面積粉末材料的使用決定了前驅體的使用將增大幾何級，每個周期周期將較長。所以，前驅體注入系統需要實現較大數量的前驅體精確注入，這對空腔設計提出了更高的要求。原子層沉積設備的空腔設計主要是促進前驅體擴散，提高加工效率，所以腔設計盡量小，不利于粉末樣品與前驅體接觸。
原子層沉積設備可用于納米至微米的粉體，實現單原子層向納米層的覆蓋，是一種理想的覆蓋方式。通過科研人員的不斷努力，ALD覆蓋粉體材料技術日趨成熟。現商用方案有：流化床，旋轉床，振動床。利用原子層沉積技術實現高質量的粉體覆蓋。
采用原子層沉積設備進行粉化處理會產生優良的覆蓋效果。
