反應離子蝕刻設備（RIE）中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，並具有重複性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。
因此，RIE製程是化學物理蝕刻製程，也是半導體製造中用於構造各種薄膜的最重要製程。SYSKEY的系統可以精準的控制製程氣體與電漿製程，並提供高品質的薄膜。
反應離子蝕刻設備參數
| 應用領域 | 腔體 |
|
|
| 配置和優點 | 選件 |
|
|
北京瑞科中儀科技有限公司
免費會員
簡要描述：反應離子蝕刻設備中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，并具有重復性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。
反應離子蝕刻設備（RIE）中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，並具有重複性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。
因此，RIE製程是化學物理蝕刻製程，也是半導體製造中用於構造各種薄膜的最重要製程。SYSKEY的系統可以精準的控制製程氣體與電漿製程，並提供高品質的薄膜。
反應離子蝕刻設備參數
| 應用領域 | 腔體 |
|
|
| 配置和優點 | 選件 |
|
|
請輸入賬號
請輸入密碼
請輸驗證碼
歐亞貿易網 設計制作，未經允許翻錄必究 .Copyright(C) http://www.symcgy.com,All rights reserved.
以上信息由企業自行提供，信息內容的真實性、準確性和合法性由相關企業負責，歐亞貿易網對此不承擔任何保證責任。
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。