剝離成形電子束設(shè)備介紹：
對於有些金屬，我們很難使用蝕刻(Etching)方式來完成想要的電路圖案(Circuit Pattern)時，就可以採用 Lift-Off製程來做出想要的金屬圖案。在此過程中，電子束蒸發(fā)於在基板表面上沉積所需的薄膜層於犧牲層與基材上，最終在洗去其犧牲層，以得到其電路圖案。由於SYSKEY的系統(tǒng)可以精準(zhǔn)的控制蒸發(fā)速度，因此薄膜厚度和均勻度皆小於+/- 3％。
| ? 針對Lift-Off製程設(shè)計載臺水冷或液態(tài)氮冷卻。 |
1.準(zhǔn)備基板。
2.犧牲薄膜層的沉積。
3.對犧牲層進行圖案化（例如蝕刻），以形成反向圖案。
4.沉積目標(biāo)材料。
5.洗去犧牲層以及目標(biāo)材料的表面。
6.最終圖案層：
①基材
②犧牲層
③目標(biāo)材料
剝離成形電子束設(shè)備參數(shù)：
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 腔體 |
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| 配置和優(yōu)點 | 選件 |
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