功率半導體器件（Powersemiconductor device）也被稱為電力電子器件，是電子裝置電能轉換與電路控制的核心。其作用是在高電壓或大電流條件下，改變電壓和頻率，或將直流轉換為交流、交流轉換為直流等形式的電力轉換，包括變頻、變壓、變流、功率放大和功率管理等。
功率半導體器件通常有三類產品形式，一類是電源管理IC，一類是功率模塊，還有一類是功率分立器件。早期的功率分立器件有大功率二極管和晶閘管等，后期的功率分立器件主要是以MOSFET為代表的新型功率半導體器件，如VDMOS、LDMOS，以及IGBT。
功率半導體器件的封裝制造過程，不僅需要考慮到焊料的印刷性（點涂性）、焊接的可靠性、助焊劑殘留的清洗性、助焊劑殘留和塑封料的兼容性等，還需要考慮到功率器件的大電流、高發熱量、超高功率的特性。功率器件向著更小晶粒面積發展的趨勢能帶來性能和成本方面的優勢，也會帶來散熱方面的劣勢；向更高的電壓和更低的損耗方向的發展，則要求焊接層有更小的空洞率，這也加大了我們對于電子材料的均一性，穩定性，顆粒集中度有了更的高要求。
通過使用真空攪拌機以及三輥研磨機，可有效的抑制空洞產生并提高產品的性能。
