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美國(guó)Sinton WCT-120少子壽命測(cè)試儀器采用了的測(cè)量和分析技術(shù)，包括類(lèi)似平穩(wěn)狀態(tài)photoconductance (QSSPC)測(cè)量方法?？伸`敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應(yīng)表面復(fù)合效應(yīng)等缺陷情況。WCT一個(gè)高度被看待的研究和過(guò)程工具。QSSPC終身測(cè)量也產(chǎn)生含蓄的打開(kāi)電路電壓(對(duì)照明)曲線(xiàn)，與最后的I-V曲線(xiàn)是可比較的在一個(gè)太陽(yáng)能電池過(guò)程的每個(gè)階段。

美國(guó)Sinton WCT-120少子壽命測(cè)試儀器采用了的測(cè)量和分析技術(shù)，包括準(zhǔn)穩(wěn)定態(tài)光電導(dǎo)(QSSPC)測(cè)量方法。可靈敏地反映單、多晶硅片的重金屬污染及陷阱效應(yīng),表面復(fù)合效應(yīng)等缺陷情況。WCT在大于20%的超高效率太陽(yáng)能電池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研發(fā)和生產(chǎn)過(guò)程中是一種被廣泛選用的檢測(cè)工具。這種QSSPC測(cè)量少子壽命的方法可以在電池生產(chǎn)的中間任意階段得到一個(gè)類(lèi)似光照IV曲線(xiàn)的開(kāi)路電壓曲線(xiàn)，可以結(jié)合最后的IV曲線(xiàn)對(duì)電池制作過(guò)程進(jìn)行數(shù)據(jù)監(jiān)控和參數(shù)優(yōu)化。

其它應(yīng)用：
檢測(cè)原始硅片的性能
測(cè)試過(guò)程硅片的重金屬污染狀況
評(píng)價(jià)表面鈍化和發(fā)射極擴(kuò)散摻雜的好壞
用得到的類(lèi)似IV的開(kāi)壓曲線(xiàn)來(lái)評(píng)價(jià)生產(chǎn)過(guò)程中由生產(chǎn)環(huán)節(jié)造成的漏電。

主要特點(diǎn)：
只要輕輕一點(diǎn)就能實(shí)現(xiàn)硅片的關(guān)鍵性能測(cè)試，包括表面電阻，少子壽命，陷阱密度，發(fā)射極飽和電流密度和隱含電壓。

詳情請(qǐng)：；技術(shù)會(huì)給你的報(bào)價(jià)與設(shè)備的適用范圍